玻璃展了解到,今年5月,阿卜杜拉国王科学技术大学(KAUST)宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片,外量子效率(EQE)有所提升,对实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器有重要的推动作用。在此基础上,KAUST近期又取得了新的突破。
据外媒报道,KAUST开发了可在整个可见光光谱范围内高效发光的Micro LED(μLEDs)芯片,实现Micro LED的全彩化。目前,KAUST团队的相关论文已发表在《光子学研究》(Photonics Research)期刊上。
据介绍,氮合金是一种半导体材料,通过正确的化学混合,能够发出RGB三种颜色的光,有助于Micro LED实现RGB全彩化显示。然而,当氮化物芯片的尺寸缩小至微米级时,发光效率也会随着变弱。
KAUST研究团队对此作出详细的解释:缩小芯片尺寸面临的主要障碍是在生产过程中LED结构的侧壁会被损坏,而缺陷的产生则会导致漏电,进而影响芯片发光。并且,随着尺寸的微缩,这种现象会较明显,因此LED芯片尺寸局限在400μm×400μm。
不过,KAUST团队在这个难题上实现了突破,开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片,尺寸为17μm×17μm。